Fertigungsprozess (Node)
Die Halbleiter-Fertigungsgeneration, mit der ein Chip hergestellt wird. Kleinere nominelle Zahlen (3 nm, 2 nm) bedeuten allgemein bessere Energieeffizienz und Dichte — aber die Marketingnamen entsprechen nicht mehr der physischen Gate-Länge.
Fertigungsprozess-Namen (TSMC N3, Samsung 3GAP, Intel 18A) entsprachen einst einer Strukturgröße in Nanometern. Heute sind sie Marketing-Bezeichnungen — jede Foundry nutzt ihre eigene Namenslogik.
Grobe Entsprechungen (2026)
- TSMC N3 / N3E — Apple M5, Snapdragon 8 Elite, Ryzen 9000.
- TSMC N2 — Apple M6 erwartet, zuerst Server.
- Samsung 3GAP — Exynos, Tensor.
- Intel 18A — Panther Lake; konkurrenzfähig mit TSMC N3.
Warum es zählt
Ein neuerer Node lässt denselben Chip schneller, kühler oder mit mehr Kernen im selben Leistungsbudget laufen. Reale Auswirkung: 15–25 % Leistung/Watt-Verbesserung pro Generation — bedeutend für Laptops und Telefone, moderat für Desktops.
Die Marketingnamen lügen; Transistordichte-Werte (MTr/mm²) sind der ehrliche Vergleich.